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  • pf-300t
  • pf-200t
  • 12英寸pecvd设备pf-300t
    产品介绍:
    pf-300t 是国家十一五重大专项所支持,由我自主研发的 12英寸 pecvd 设备,拥有 100%知识产权。其用于 40-28纳米集成电路的生产,具有 14-5纳米技术的延伸性。设备成本(coo)及性能指标达到世界领先水平。设备已在多家国内及台湾企业的大规模集成电路及先进封装生产线(tsv)实施量产,充分展现国产半导体设备的实力与成果。
    产品特点:
    国际水平的性能指标
    量产验证的sio2,sin,sion及teos sio2标准工艺
    可依客户选择配置1-3路液态源,实现多种先进工艺
    具备tsv所需的低温(<200℃)teos sio2工艺
    可与8英寸兼容互相切换
    具有国际领先的产能和coo
    通过s2安全认证和f47标准检验
  • 8英寸pecvd设备pf-200t
    产品介绍:
    pf-200t 是由我基于 pf 系列平台,自主研发的 8 英寸 pecvd 设备,硬件结构以及系统稳定性和 pf-300t 保持一致,并已在国内各大企业经过严格的量产验证。pf-200t 和国际同类型二手设备相比,具有产能高,维护费用低的优势,还可为客户提供完善的售后及工艺开发等服务。并可升级到 12英寸,或实现 8/12 英寸相互切换。设备另具有低温 teos 的 sio2 工艺,适用于三维集成电路生产(3d ic)中的 tsv 工艺。
    产品特点:
    按行业最新标准,全新设计制造
    采用行业现有标准零部件,降低维护成本
    国际领先的生产成本(coo)及性能指标
    可搭载 1-3 个 pm
    成熟的 sio2,sin,sion 及 teos sio2 标准工艺
    可配置 1-3 路液态源,实现掺杂工艺
    具备 tsv 所需的低温(<200℃)teos sio2 工艺
    通过最新 s2 安全认证和 f47 标准检验
  • 12英寸ald设备ft-300t
    产品介绍:
    ft-300t 系列是我自主研发的原子层沉积(atomic layer deposition)设备,反应腔搭载在已通过生产验证的高产能 pecvd 平台上,充分实现 ald 设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路,oled 及先进封装(tsv)领域。ald 技术一次沉积一层原子层薄膜,并针对 14nm 以下 feol 前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深宽比的孔洞。现可提供具有高质量的 sio2,sin,al2o3 薄膜,陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。
    产品特点:
    国际领先的生产成本(coo)及性能指标
    可搭载1-3个pm
    具有优异的均匀性和优异的保形性
    可配置plasma enhanced ald及thermal ald
    ald薄膜在高宽比(20:1)情况下台阶覆盖率可达到95%
    通过s2安全认证和f47标准检验
  • 12英寸3d-nand pecvd设备nf-300h
    产品介绍:
    nf-300h 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项,自主研发,是国产首台应用于新一代三维闪存芯片(3d nand)生产线上的等离子体化学气相薄膜沉积设备,拥有 100% 自主知识产权。目前可实现超过 128 对的 sio2、sin(onon)多层薄膜堆叠结构,在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破,设备性能指标达到同类产品国际先进水平,具备产业化能力及市场竞争力。
    产品特点:
    国际领先的生产成本(coo)及性能指标
    可搭载1-3个pm
    稳定的薄膜性能指标及工艺表现
    不同种类薄膜沉积的快速切换,高产能化
    能够满足300-600℃的高温沉积的要求
    多层喷淋头结构设计,快速气相切换
    通过s2安全认证和f47标准检验
  • 技术服务及零部件
    客户技术支持:
    在机台设备保质期内,本将对非人为造成的软、硬件上的问题为客户提供及时的维修,以保证客户工厂生产的正常进行。
    本在机台设备保质期内提供给客户充分的备用件,保质期后,客户可以购买方式取得备用部件的补充。
    依客户所提需求,本的工程师保证于24小时内到达客户现场给予支援。
  • 12英寸单腔pecvd设备

    产品介绍: 

    sc-300以12寸pecvd设备架构为基础,专为led生产线、高校、研究所及企业研发机构所设计研发,可做2-12英寸的工艺,可选teos等液态源配置,适用于半导体、mems、光伏,封装等行业

pf-300t

产品介绍:
产品介绍:
pf-300t 是国家十一五重大专项所支持,由我自主研发的 12英寸 pecvd 设备,拥有 100%知识产权。其用于 40-28纳米集成电路的生产,具有 14-5纳米技术的延伸性。设备成本(coo)及性能指标达到世界领先水平。设备已在多家国内及台湾企业的大规模集成电路及先进封装生产线(tsv)实施量产,充分展现国产半导体设备的实力与成果。
产品特点:
国际水平的性能指标
量产验证的sio2,sin,sion及teos sio2标准工艺
可依客户选择配置1-3路液态源,实现多种先进工艺
具备tsv所需的低温(<200℃)teos sio2工艺
可与8英寸兼容互相切换
具有国际领先的产能和coo
通过s2安全认证和f47标准检验

pf-200t

产品介绍:
产品介绍:
pf-200t 是由我基于 pf 系列平台,自主研发的 8 英寸 pecvd 设备,硬件结构以及系统稳定性和 pf-300t 保持一致,并已在国内各大企业经过严格的量产验证。pf-200t 和国际同类型二手设备相比,具有产能高,维护费用低的优势,还可为客户提供完善的售后及工艺开发等服务。并可升级到 12英寸,或实现 8/12 英寸相互切换。设备另具有低温 teos 的 sio2 工艺,适用于三维集成电路生产(3d ic)中的 tsv 工艺。
产品特点:
按行业最新标准,全新设计制造
采用行业现有标准零部件,降低维护成本
国际领先的生产成本(coo)及性能指标
可搭载 1-3 个 pm
成熟的 sio2,sin,sion 及 teos sio2 标准工艺
可配置 1-3 路液态源,实现掺杂工艺
具备 tsv 所需的低温(<200℃)teos sio2 工艺
通过最新 s2 安全认证和 f47 标准检验

ft-300t

产品介绍:
产品介绍:
ft-300t 系列是我自主研发的原子层沉积(atomic layer deposition)设备,反应腔搭载在已通过生产验证的高产能 pecvd 平台上,充分实现 ald 设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路,oled 及先进封装(tsv)领域。ald 技术一次沉积一层原子层薄膜,并针对 14nm 以下 feol 前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深宽比的孔洞。现可提供具有高质量的 sio2,sin,al2o3 薄膜,陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。
产品特点:
国际领先的生产成本(coo)及性能指标
可搭载1-3个pm
具有优异的均匀性和优异的保形性
可配置plasma enhanced ald及thermal ald
ald薄膜在高宽比(20:1)情况下台阶覆盖率可达到95%
通过s2安全认证和f47标准检验

nf-300h

产品介绍:
产品介绍:
nf-300h 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项,自主研发,是国产首台应用于新一代三维闪存芯片(3d nand)生产线上的等离子体化学气相薄膜沉积设备,拥有 100% 自主知识产权。目前可实现超过 128 对的 sio2、sin(onon)多层薄膜堆叠结构,在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破,设备性能指标达到同类产品国际先进水平,具备产业化能力及市场竞争力。
产品特点:
国际领先的生产成本(coo)及性能指标
可搭载1-3个pm
稳定的薄膜性能指标及工艺表现
不同种类薄膜沉积的快速切换,高产能化
能够满足300-600℃的高温沉积的要求
多层喷淋头结构设计,快速气相切换
通过s2安全认证和f47标准检验

技术服务及零部件

产品介绍:
客户技术支持:
在机台设备保质期内,本将对非人为造成的软、硬件上的问题为客户提供及时的维修,以保证客户工厂生产的正常进行。
本在机台设备保质期内提供给客户充分的备用件,保质期后,客户可以购买方式取得备用部件的补充。
依客户所提需求,本的工程师保证于24小时内到达客户现场给予支援。

sc-300

产品介绍:

产品介绍: 

sc-300以12寸pecvd设备架构为基础,专为led生产线、高校、研究所及企业研发机构所设计研发,可做2-12英寸的工艺,可选teos等液态源配置,适用于半导体、mems、光伏,封装等行业

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