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企业使命

- 建立世界领先的薄膜设备

- 开发最先进的科技

- 提供最有竞争力的产品

- 培养国内新一代人才

- 建立健康向上的企业文化

  沈阳拓荆科技有限成立于2010年4月,是由海外专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业。拓荆致力于研究和生产世界领先的薄膜设备,两次承担国家科技重大专项。2016年、2017年连续两年获评“中国半导体设备五强企业”。

  拥有12英寸pecvd(等离子体化学气相沉积设备)、ald(原子层薄膜沉积设备)、3d nand pecvd(三维结构闪存专用pecvd设备)三个完整系列产品,技术指标达到国际先进水平。产品广泛应用于集成电路前道和后道、tsv封装、光波导、led、3d-nand闪存、oled显示等高端技术领域。在北京、天津、厦门、武汉、深圳、合肥、重庆、长三角等地区都设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术服务。

  现有员工总数近300人,其中本科以上员工占总数90%,硕士以上员工占总数的41%。拥有国际一流的专家团队,现有14名海外专家。产品拥有100%自主知识产权,现已申请专利近300项,填补了国内该技术领域多项空白,2017年获评为国家知识产权优势企业。

  总部坐落于沈阳市浑南区,占地80亩,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米。第一期生产能力可实现年产100台套,全部投产可达350台套设备,支撑年产值50亿元的产业规模。营运已通过iso9001、iso14001、ohsas18001体系的认证,并拥有覆盖全球的供应商网络。

  拓荆愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。

中国大陆 - 占比72%

亚洲 - 占比13%

北美 - 占比12%

欧洲 - 占比2%

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企业使命

- 建立世界领先的薄膜设备
- 开发最先进的科技
- 提供最有竞争力的产品
- 培养国内新一代人才
- 建立健康向上的企业文化

  沈阳拓荆科技有限成立于2010年4月,是由海外专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业。拓荆致力于研究和生产世界领先的薄膜设备,两次承担国家科技重大专项。2016年、2017年连续两年获评“中国半导体设备五强企业”。

  拥有12英寸pecvd(等离子体化学气相沉积设备)、ald(原子层薄膜沉积设备)、3d nand pecvd(三维结构闪存专用pecvd设备)三个完整系列产品,技术指标达到国际先进水平。产品广泛应用于集成电路前道和后道、tsv封装、光波导、led、3d-nand闪存、oled显示等高端技术领域。在北京、天津、厦门、武汉、深圳、合肥、重庆、长三角等地区都设有技术服务中心,为客户提供每周7天,每天24小时的技术服务。

  现有员工总数近300人,其中本科以上员工占总数90%,硕士以上员工占总数的41%。拥有国际一流的专家团队,现有14名海外专家。产品拥有100%自主知识产权,现已申请专利近300项,填补了国内该技术领域多项空白,2017年获评为国家知识产权优势企业。

  总部坐落于沈阳市浑南区,占地80亩,拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房,总建筑面积达40,000平方米。第一期生产能力可实现年产100台套,全部投产可达350台套设备,支撑年产值50亿元的产业规模。营运已通过iso9001、iso14001、ohsas18001体系的认证,并拥有覆盖全球的供应商网络。

  拓荆愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟,为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。

©2018 拓荆科技 辽icp备05007152号

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